Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Архипов, А. Л. - Исследование зависимости квантового выхода InGaN и AlGaInP светодиодов от плотности тока
Архипов, А. Л. - Исследование зависимости квантового выхода InGaN и AlGaInP светодиодов от плотности тока
Книга (аналит. описание)
Автор: Архипов, А. Л.
Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. Т. 2: Исследование зависимости квантового выхода InGaN и AlGaInP светодиодов от плотности тока
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Архипов, А. Л.
Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. Т. 2: Исследование зависимости квантового выхода InGaN и AlGaInP светодиодов от плотности тока
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Архипов, А. Л.
Исследование зависимости квантового выхода InGaN и AlGaInP светодиодов от плотности тока / А. Л. Архипов, В. П. Сушков // Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. Т. 2 : материалы V Российско-японского семинара (18-19 июня 2007 г.) / ред. Л. В. Кожитов . – М. : Изд-во МИСиС, 2007 . – С. 819-822 .
Архипов, А. Л.
Исследование зависимости квантового выхода InGaN и AlGaInP светодиодов от плотности тока / А. Л. Архипов, В. П. Сушков // Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. Т. 2 : материалы V Российско-японского семинара (18-19 июня 2007 г.) / ред. Л. В. Кожитов . – М. : Изд-во МИСиС, 2007 . – С. 819-822 .