Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ермошин, И. Г. - Изучение основных свойств светодиодных структур на основе квантовых ям GaN/InGaN с помощью рентге...
Ермошин, И. Г. - Изучение основных свойств светодиодных структур на основе квантовых ям GaN/InGaN с помощью рентге...
Книга (аналит. описание)
Автор: Ермошин, И. Г.
Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. Т. 2: Изучение основных свойств светодиодных структур на основе квантовых ям GaN/InGaN с помощью рентге...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ермошин, И. Г.
Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. Т. 2: Изучение основных свойств светодиодных структур на основе квантовых ям GaN/InGaN с помощью рентге...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Ермошин, И. Г.
Изучение основных свойств светодиодных структур на основе квантовых ям GaN/InGaN с помощью рентгеновской дифрактометрии / И. Г. Ермошин, В. П. Сушков // Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. Т. 2 : материалы V Российско-японского семинара (18-19 июня 2007 г.) / ред. Л. В. Кожитов . – М. : Изд-во МИСиС, 2007 . – С. 823-830 .
Ермошин, И. Г.
Изучение основных свойств светодиодных структур на основе квантовых ям GaN/InGaN с помощью рентгеновской дифрактометрии / И. Г. Ермошин, В. П. Сушков // Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. Т. 2 : материалы V Российско-японского семинара (18-19 июня 2007 г.) / ред. Л. В. Кожитов . – М. : Изд-во МИСиС, 2007 . – С. 823-830 .