Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванов, А. М. - Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-д...
Иванов, А. М. - Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-д...
Статья
Автор: Иванов, А. М.
Физика и техника полупроводников: Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-д...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванов, А. М.
Физика и техника полупроводников: Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-д...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, А. М.
Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-детекторов ядерных излучений / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, В. В. Козловский, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – Т. 42, N 3 . – с. 370-377 .
Иванов, А. М.
Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-детекторов ядерных излучений / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, В. В. Козловский, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – Т. 42, N 3 . – с. 370-377 .