Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Унтила, Г. Г. - Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрич...
Унтила, Г. Г. - Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрич...
Статья
Автор: Унтила, Г. Г.
Физика и техника полупроводников: Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрич...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Унтила, Г. Г.
Физика и техника полупроводников: Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрич...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Унтила, Г. Г.
Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрические свойства гетероперехода IFO/p-Si / Г. Г. Унтила, Т. Н. Кост, А. Б. Чеботарева, М. Б. Закс, А. М. Ситников, О. И. Солодуха // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 4 . – с. 415-422 .
Унтила, Г. Г.
Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрические свойства гетероперехода IFO/p-Si / Г. Г. Унтила, Т. Н. Кост, А. Б. Чеботарева, М. Б. Закс, А. М. Ситников, О. И. Солодуха // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 4 . – с. 415-422 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников T. 42, N 4
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников T. 42, N 4
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный