Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Легирование полупроводников методом ядерных реакций

Легирование полупроводников методом ядерных реакций

Доступно
 1 из 1
Книга
Автор:
Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Издательство: Наука, 1981 г.
ISBN отсутствует

Заказать Заказать

На полку На полку


Книга
VIII-5 Л-385

Легирование полупроводников методом ядерных реакций / Л. С. Смирнов, С. П. Соловьев, В. Ф. Стась, В. А. Харченко ; отв. ред. Л. С. Смирнов . – Новосибирск : Наука, 1981 . – 181 с. : ил. + Библиогр. в конце глав. - Авт. указаны на обороте тит. л. – (АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников). : руб. 1.90 .

621.315.592.002


534841 01:Книгохранение



Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Книга (аналит. описание)

Глава 4. Технология ядерного легирования кремния. 4.1. Технологическая схема процесса ядерного ле...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Книга (аналит. описание)

Глава 3. Радиационные дефекты в полупроводниках. 3.1. Гиперация простейших радиационных дефектов....
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Книга (аналит. описание)

Глава 2. Физические основы ядерного легирования полупроводников. 2.1. Ядерные реакции как источни...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Книга (аналит. описание)

Глава 1. Легирование полупроводников. 1.1. Легирование из расплава. 1.2. Диффузия примеси. 1.3. И...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167