Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния
Качурин, Г. А. - Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Качурин, Г. А.
Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния / Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, Д. В. Марин, А. К. Гутаковский, А. Г. Черков, В. А. Володин // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – Т. 42, N 9 . – С. 1145-1149 .
Качурин, Г. А.
Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния / Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, Д. В. Марин, А. К. Гутаковский, А. Г. Черков, В. А. Володин // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – Т. 42, N 9 . – С. 1145-1149 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 42, N 9
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 42, N 9
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный