Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сибирев, Н. В. - О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения
Сибирев, Н. В. - О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Сибирев, Н. В.
Физика и техника полупроводников: О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сибирев, Н. В.
Физика и техника полупроводников: О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сибирев, Н. В.
О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения / Н. В. Сибирев, Б. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. А. Егоров, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 11 . – С. 1286-1290 .
Сибирев, Н. В.
О зависимости высоты нитевидных нанокристаллов GaAs от скорости осаждения / Н. В. Сибирев, Б. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. А. Егоров, Ю. Б. Самсоненко, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 11 . – С. 1286-1290 .