Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бессолов, В. Н. - Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-n-GaN от концентрации осно...
Бессолов, В. Н. - Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-n-GaN от концентрации осно...
Статья
Автор: Бессолов, В. Н.
Физика и техника полупроводников: Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-n-GaN от концентрации осно...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бессолов, В. Н.
Физика и техника полупроводников: Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-n-GaN от концентрации осно...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бессолов, В. Н.
Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-n-GaN от концентрации основных носителей заряда / В. Н. Бессолов, Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, О. В. Константинов, Е. А. Поссе // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 11 . – С. 1345-1347 .
Бессолов, В. Н.
Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-n-GaN от концентрации основных носителей заряда / В. Н. Бессолов, Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, О. В. Константинов, Е. А. Поссе // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 11 . – С. 1345-1347 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников T. 42, N 11
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников T. 42, N 11
2008 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный