Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ундалов, Ю. К. - Влияние электрического поля при получении пленок alpha-SiOx:H(Er,O) методом магнетронного распыле...
Ундалов, Ю. К. - Влияние электрического поля при получении пленок alpha-SiOx:H(Er,O) методом магнетронного распыле...
Статья
Автор: Ундалов, Ю. К.
Физика и техника полупроводников: Влияние электрического поля при получении пленок alpha-SiOx:H(Er,O) методом магнетронного распыле...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ундалов, Ю. К.
Физика и техника полупроводников: Влияние электрического поля при получении пленок alpha-SiOx:H(Er,O) методом магнетронного распыле...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ундалов, Ю. К.
Влияние электрического поля при получении пленок alpha-SiOx:H(Er,O) методом магнетронного распыления на постоянном токе на их состав и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия / Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, О. Б. Гусев, В. М. Лебедев, И. Н. Трапезникова // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 11 . – С. 1357-1362 .
Ундалов, Ю. К.
Влияние электрического поля при получении пленок alpha-SiOx:H(Er,O) методом магнетронного распыления на постоянном токе на их состав и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия / Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, О. Б. Гусев, В. М. Лебедев, И. Н. Трапезникова // Физика и техника полупроводников . – 2008 . – T. 42, N 11 . – С. 1357-1362 .