Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кастро, Р. А. - Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge0.285Pb0.15S0.565
Кастро, Р. А. - Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge0.285Pb0.15S0.565
Статья
Автор: Кастро, Р. А.
Физика и техника полупроводников: Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge0.285Pb0.15S0.565
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кастро, Р. А.
Физика и техника полупроводников: Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge0.285Pb0.15S0.565
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кастро, Р. А.
Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge0.285Pb0.15S0.565 / Р. А. Кастро, В. А. Бордовский, Н. И. Анисимова, Г. И. Грабко // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – T. 43, N 3 . – С. 382-384 .
Кастро, Р. А.
Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge0.285Pb0.15S0.565 / Р. А. Кастро, В. А. Бордовский, Н. И. Анисимова, Г. И. Грабко // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – T. 43, N 3 . – С. 382-384 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников T. 43, N 3
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников T. 43, N 3
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный