Электронный каталог -Закгейм, А. Л. - Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Закгейм, А. Л. - Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)

Закгейм, А. Л. - Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)

Статья
Автор: Закгейм, А. Л.
Физика и техника полупроводников: Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Закгейм, А. Л.
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм) / А. Л. Закгейм, Н. В. Зотова, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. Е. Черняков // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – T. 43, N 3 . – С. 412-417 .