Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гадияк, Г. В. - Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2- структуры при отжиге ...
Гадияк, Г. В. - Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2- структуры при отжиге ...
Статья
Автор: Гадияк, Г. В.
Физика и техника полупроводников: Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2- структуры при отжиге ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гадияк, Г. В.
Физика и техника полупроводников: Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2- структуры при отжиге ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гадияк, Г. В.
Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2- структуры при отжиге в вакууме / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Г. В. Гадияк, J. Stathis // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 9 . – 1079-1082 .
Гадияк, Г. В.
Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2- структуры при отжиге в вакууме / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Г. В. Гадияк, J. Stathis // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 9 . – 1079-1082 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 9
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 9
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный