Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Булярский, С. В. - Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p-n-пер...
Булярский, С. В. - Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p-n-пер...
Статья
Автор: Булярский, С. В.
Физика и техника полупроводников: Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p-n-пер...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Булярский, С. В.
Физика и техника полупроводников: Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p-n-пер...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Булярский, С. В.
Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p-n-перехода / Электронные и оптические свойства полупроводников / С. В. Булярский, Н. С. Грушко, А. В. Лакалин // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 10 . – 1193-1196 .
Булярский, С. В.
Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p-n-перехода / Электронные и оптические свойства полупроводников / С. В. Булярский, Н. С. Грушко, А. В. Лакалин // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 10 . – 1193-1196 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 10
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 10
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный