Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Агекян, В. Ф. - Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs / Полупроводниковые структур...
Агекян, В. Ф. - Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs / Полупроводниковые структур...
Статья
Автор: Агекян, В. Ф.
Физика и техника полупроводников: Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs / Полупроводниковые структур...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Агекян, В. Ф.
Физика и техника полупроводников: Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs / Полупроводниковые структур...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Агекян, В. Ф.
Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. Ф. Агекян, В. И. Иванов-Омский, В. Н. Князевский, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 10 . – 1203-1205 .
Агекян, В. Ф.
Оптоэлектронные явления в слоях, полученных нитрированием GaP и GaAs / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. Ф. Агекян, В. И. Иванов-Омский, В. Н. Князевский, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 10 . – 1203-1205 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 10
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 10
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный