Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кузнецов, Г. Ф. - Влияние числа пар слоев на качество сверхрешеток типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs, наращиваемых...
Кузнецов, Г. Ф. - Влияние числа пар слоев на качество сверхрешеток типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs, наращиваемых...
Статья
Автор: Кузнецов, Г. Ф.
Физика и техника полупроводников: Влияние числа пар слоев на качество сверхрешеток типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs, наращиваемых...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кузнецов, Г. Ф.
Физика и техника полупроводников: Влияние числа пар слоев на качество сверхрешеток типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs, наращиваемых...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кузнецов, Г. Ф.
Влияние числа пар слоев на качество сверхрешеток типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs, наращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии при компьютерном управлении процессом изготовления / Г. Ф. Кузнецов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 . – С. 493-500 .
Кузнецов, Г. Ф.
Влияние числа пар слоев на качество сверхрешеток типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs, наращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии при компьютерном управлении процессом изготовления / Г. Ф. Кузнецов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 . – С. 493-500 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 4
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 4
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный