Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Закгейм, А. Л. - Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
Закгейм, А. Л. - Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
Статья
Автор: Закгейм, А. Л.
Физика и техника полупроводников: Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Закгейм, А. Л.
Физика и техника полупроводников: Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb / А. Л. Закгейм, Н. В. Зотова, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 . – С. 531-536 .
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb / А. Л. Закгейм, Н. В. Зотова, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 . – С. 531-536 .