Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мокеров, В. Г. - AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усилени...
Мокеров, В. Г. - AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усилени...
Статья
Автор: Мокеров, В. Г.
Физика и техника полупроводников: AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усилени...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мокеров, В. Г.
Физика и техника полупроводников: AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усилени...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Мокеров, В. Г.
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до 100 ГГц / В. Г. Мокеров, А. Л. Кузнецов, Ю. В. Федоров, Е. Н. Енюшкина // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 . – С. 561-567 .
Мокеров, В. Г.
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до 100 ГГц / В. Г. Мокеров, А. Л. Кузнецов, Ю. В. Федоров, Е. Н. Енюшкина // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 4 . – С. 561-567 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 4
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 4
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный