Электронный каталог -Сошников, И. П. - Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Сошников, И. П. - Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения

Сошников, И. П. - Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения

Статья
Автор: Сошников, И. П.
Физика и техника полупроводников: Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Сошников, И. П.
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения / И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, А. М. Надточий, В. Г. Дубровский, М. А. Букин, В. А. Петров, В. В. Бусов, С. И. Трошков // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 7 . – С. 938-941 .