Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Усмонов, Ш. Н. - Возможность получения пленок (GaSb)1-x(Si2)x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии
Усмонов, Ш. Н. - Возможность получения пленок (GaSb)1-x(Si2)x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии
Статья
Автор: Усмонов, Ш. Н.
Физика и техника полупроводников: Возможность получения пленок (GaSb)1-x(Si2)x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Усмонов, Ш. Н.
Физика и техника полупроводников: Возможность получения пленок (GaSb)1-x(Si2)x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Усмонов, Ш. Н.
Возможность получения пленок (GaSb)1-x(Si2)x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии / Ш. Н. Усмонов, А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, Д. Сапаров, К. Т. Холиков // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 8 . – С. 1131-1136 .
Усмонов, Ш. Н.
Возможность получения пленок (GaSb)1-x(Si2)x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии / Ш. Н. Усмонов, А. С. Саидов, А. Ю. Лейдерман, Д. Сапаров, К. Т. Холиков // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 8 . – С. 1131-1136 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 8
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 8
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный