Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Путято, М. А. - Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках S...
Путято, М. А. - Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках S...
Статья
Автор: Путято, М. А.
Физика и техника полупроводников: Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках S...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Путято, М. А.
Физика и техника полупроводников: Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках S...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Путято, М. А.
Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода / М. А. Путято, Ю. Б. Болховитянов, А. П. Василенко, А. К. Гутаковский // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 9 . – С. 1275-1279 .
Путято, М. А.
Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода / М. А. Путято, Ю. Б. Болховитянов, А. П. Василенко, А. К. Гутаковский // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 9 . – С. 1275-1279 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 9
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 9
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный