Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 10 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 10 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Берт, Н. А.
Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Берт, Н. А.
Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Александров, О. В.
Эффект ориентации поверхности кремния в модели объемного термического окисления
б.г.
ISBN отсутствует
Александров, О. В.
Эффект ориентации поверхности кремния в модели объемного термического окисления
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гудовских, А. С.
Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP
б.г.
ISBN отсутствует
Гудовских, А. С.
Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Грушко, Н. С.
Влияние температуры на ампер-яркостные характеристики светодиодной структуры на основе InGaN
б.г.
ISBN отсутствует
Грушко, Н. С.
Влияние температуры на ампер-яркостные характеристики светодиодной структуры на основе InGaN
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Беляков, Л. В.
Решающая роль синглетной формы кислорода в формировании фотолюминесценции нанопористого кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Беляков, Л. В.
Решающая роль синглетной формы кислорода в формировании фотолюминесценции нанопористого кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует
Винокуров, Д. А.
Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Семенов, А. В.
Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Семенов, А. В.
Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ткач, Н. В.
Плоские двухбарьерные резонансно-туннельные структуры: резонансные энергии и резонансные ширины к...
б.г.
ISBN отсутствует
Ткач, Н. В.
Плоские двухбарьерные резонансно-туннельные структуры: резонансные энергии и резонансные ширины к...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Калыгина, В. М.
Влияние глубокой примеси на электрические характеристики эпитаксиальных структур на основе GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Калыгина, В. М.
Влияние глубокой примеси на электрические характеристики эпитаксиальных структур на основе GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Орбух, В. И.
Влияние поверхностной проводимости полупроводникового электрода на распределение газоразрядного тока
б.г.
ISBN отсутствует
Орбух, В. И.
Влияние поверхностной проводимости полупроводникового электрода на распределение газоразрядного тока
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гуткин, А. А.
Коротковолновый край собственной фотолюминенсценции в слабых твердых растворах GaNxAs1-x
б.г.
ISBN отсутствует
Гуткин, А. А.
Коротковолновый край собственной фотолюминенсценции в слабых твердых растворах GaNxAs1-x
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рутьков, Е. В.
Проникновение атомов меди (интеркалирование) под графеновый слой на иридии (111)
б.г.
ISBN отсутствует
Рутьков, Е. В.
Проникновение атомов меди (интеркалирование) под графеновый слой на иридии (111)
б.г.
ISBN отсутствует