Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лютецкий, А. В. - Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
Лютецкий, А. В. - Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
Статья
Автор: Лютецкий, А. В.
Физика и техника полупроводников: Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лютецкий, А. В.
Физика и техника полупроводников: Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лютецкий, А. В.
Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP / А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Н. В. Фетисова, А. Ю. Лешко, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Ю. А. Рябоштан, А. А. Мармалюк, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 12 . – С. 1646-1649 .
Лютецкий, А. В.
Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP / А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Н. В. Фетисова, А. Ю. Лешко, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Ю. А. Рябоштан, А. А. Мармалюк, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 12 . – С. 1646-1649 .