Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Винокуров, Д. А. - Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
Винокуров, Д. А. - Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
Статья
Автор: Винокуров, Д. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Винокуров, Д. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом / Д. А. Винокуров, В. В. Васильева, В. А. Капитонов, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Н. В. Фетисова, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 2 . – С. 246-250 .
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом / Д. А. Винокуров, В. В. Васильева, В. А. Капитонов, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Н. В. Фетисова, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 2 . – С. 246-250 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 2
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 2
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный