Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лотин, А. А. - Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения
Лотин, А. А. - Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения
Статья
Автор: Лотин, А. А.
Физика и техника полупроводников: Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лотин, А. А.
Физика и техника полупроводников: Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лотин, А. А.
Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения / А. А. Лотин, О. А. Новодворский, Е. В. Хайдуков, В. В. Рочева, О. Д. Храмова, В. Я. Панченко, К. Венцель, Н. Трумпайска, К. Д. Щербачев // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 2 . – С. 260-264 .
Лотин, А. А.
Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения / А. А. Лотин, О. А. Новодворский, Е. В. Хайдуков, В. В. Рочева, О. Д. Храмова, В. Я. Панченко, К. Венцель, Н. Трумпайска, К. Д. Щербачев // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 2 . – С. 260-264 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 2
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 2
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный