Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Астахова, А. П. - Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (гамма ~ 3.3 мкм)
Астахова, А. П. - Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (гамма ~ 3.3 мкм)
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Астахова, А. П.
Физика и техника полупроводников: Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (гамма ~ 3.3 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Астахова, А. П.
Физика и техника полупроводников: Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (гамма ~ 3.3 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Астахова, А. П.
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (гамма ~ 3.3 мкм) / А. П. Астахова, А. С. Головин, Н. Д. Ильинская, К. В. Калинина, С. С. Кижаев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Стоянов, Z. J. Horvath, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 2 . – С. 278-284 .
Астахова, А. П.
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (гамма ~ 3.3 мкм) / А. П. Астахова, А. С. Головин, Н. Д. Ильинская, К. В. Калинина, С. С. Кижаев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Стоянов, Z. J. Horvath, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 2 . – С. 278-284 .