Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дроздов, М. Н. - Использование кластерных вторичных ионов Ge-2, Ge-3 для повышения разрешения по глубине при посло...
Дроздов, М. Н. - Использование кластерных вторичных ионов Ge-2, Ge-3 для повышения разрешения по глубине при посло...
Статья
Автор: Дроздов, М. Н.
Физика и техника полупроводников: Использование кластерных вторичных ионов Ge-2, Ge-3 для повышения разрешения по глубине при посло...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дроздов, М. Н.
Физика и техника полупроводников: Использование кластерных вторичных ионов Ge-2, Ge-3 для повышения разрешения по глубине при посло...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Дроздов, М. Н.
Использование кластерных вторичных ионов Ge-2, Ge-3 для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС / М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 3 . – С. 418-421 .
Дроздов, М. Н.
Использование кластерных вторичных ионов Ge-2, Ge-3 для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС / М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 3 . – С. 418-421 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 3
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 3
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный