Электронный каталог -Садофьев, Ю. Г. - Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Садофьев, Ю. Г. - Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм

Садофьев, Ю. Г. - Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм

Статья
Автор: Садофьев, Ю. Г.
Физика и техника полупроводников: Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Садофьев, Ю. Г.
Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм / Ю. Г. Садофьев, N. Samal, Б. А. Андреев, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 3 . – С. 422-429 .