Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бочкарева, Н. И. - Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
Бочкарева, Н. И. - Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
Статья
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бочкарева, Н. И.
Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока / Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, А. С. Зубрилов, Ю. С. Леликов, Ф. Е. Латышев, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – T. 44, N 6 . – С. 822-828 .
Бочкарева, Н. И.
Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока / Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов, А. С. Зубрилов, Ю. С. Леликов, Ф. Е. Латышев, Ю. Т. Ребане, А. И. Цюк, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – T. 44, N 6 . – С. 822-828 .