Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ермошин, И. Г. - Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ...
Ермошин, И. Г. - Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ...
Доступно
1 из 1
1 из 1
Автореферат
Автор: Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ... : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2009 г.
ISBN отсутствует
Автор: Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газ... : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2009 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Автореферат
Е-748а
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / И. Г. Ермошин ; науч. рук. В. П. Сушков . – М. : [МИСиС], 2009 . – 20с. : рис. + Библиогр.: с. 20 . – URL: http://lib.msk.misis.ru/elib/view.php?id_abs=500281 .
621.315.5:548.25(043.3)
430637 19:Фонд дис.МИСиС
Е-748а
Ермошин, И. Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / И. Г. Ермошин ; науч. рук. В. П. Сушков . – М. : [МИСиС], 2009 . – 20с. : рис. + Библиогр.: с. 20 . – URL: http://lib.msk.misis.ru/elib/view.php?id_abs=500281 .
621.315.5:548.25(043.3)
430637 19:Фонд дис.МИСиС