Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Галиев, Г. Б.
Использование амфотерности примесных атомов кремния для получения планарных p-n-переходов на подложках GaAs с ориентацией (111)А методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, Л. Э. Велиховский // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 4 . – 427-430 .