Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Пагава, Т. А. - Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах эта-Si
Пагава, Т. А. - Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах эта-Si
Статья
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах эта-Si
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах эта-Si
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Пагава, Т. А.
Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах эта-Si / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 5 . – С. 582-586 .
Пагава, Т. А.
Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах эта-Si / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе, М. Г. Беридзе // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 5 . – С. 582-586 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 5
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 5
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный