Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Безрядин, Н. Н. - Реконструкция границы раздела в наногетероструктурах Ga2Se3/GaAs(100) и In2Se3/InAs(100)
Безрядин, Н. Н. - Реконструкция границы раздела в наногетероструктурах Ga2Se3/GaAs(100) и In2Se3/InAs(100)
Статья
Автор: Безрядин, Н. Н.
Кристаллография: Реконструкция границы раздела в наногетероструктурах Ga2Se3/GaAs(100) и In2Se3/InAs(100)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Безрядин, Н. Н.
Кристаллография: Реконструкция границы раздела в наногетероструктурах Ga2Se3/GaAs(100) и In2Se3/InAs(100)
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Безрядин, Н. Н.
Реконструкция границы раздела в наногетероструктурах Ga2Se3/GaAs(100) и In2Se3/InAs(100) / Н. Н. Безрядин, Г. И. Котов, С. В. Кузубов, Я. А. Болдырева, Б. Л. Агапов // Кристаллография . – 2011 . – T. 56, N 3 . – С. 565-569 .
Безрядин, Н. Н.
Реконструкция границы раздела в наногетероструктурах Ga2Se3/GaAs(100) и In2Se3/InAs(100) / Н. Н. Безрядин, Г. И. Котов, С. В. Кузубов, Я. А. Болдырева, Б. Л. Агапов // Кристаллография . – 2011 . – T. 56, N 3 . – С. 565-569 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1