Электронный каталог -Tsai, J.-H. - A New InGaP/GaAs Tunneling Heterostructure-Emitter Bipolar Transistor (T-HEBT)- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Tsai, J.-H. - A New InGaP/GaAs Tunneling Heterostructure-Emitter Bipolar Transistor (T-HEBT)

Tsai, J.-H. - A New InGaP/GaAs Tunneling Heterostructure-Emitter Bipolar Transistor (T-HEBT)

Статья
Автор: Tsai, J.-H.
Физика и техника полупроводников: A New InGaP/GaAs Tunneling Heterostructure-Emitter Bipolar Transistor (T-HEBT)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Tsai, J.-H.
A New InGaP/GaAs Tunneling Heterostructure-Emitter Bipolar Transistor (T-HEBT) / J.-H. Tsai, C.-S. Lee, W.-S. Lour, Y.-C. Ma, S.-S. Ye // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 5 . – С. 657-659 .