Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Брунков, П. Н. - Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-г...
Брунков, П. Н. - Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-г...
Статья
Автор: Брунков, П. Н.
Физика и техника полупроводников: Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-г...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Брунков, П. Н.
Физика и техника полупроводников: Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-г...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Брунков, П. Н.
Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs / П. Н. Брунков, А. А. Гуткин, М. Э. Рудинский, О. И. Ронжин, А. А. Ситникова, А. А. Шахмин, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ю. Егоров, В. Е. Земляков, С. Г. Конников // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 6 . – С. 829-835 .
Брунков, П. Н.
Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs / П. Н. Брунков, А. А. Гуткин, М. Э. Рудинский, О. И. Ронжин, А. А. Ситникова, А. А. Шахмин, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Ю. Егоров, В. Е. Земляков, С. Г. Конников // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 6 . – С. 829-835 .