Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Гольдман, Е. И.
Проявление избыточных центров рождения электронно-дырочных пар, возникших в результате полевого и термического стрессов и их последующей аннигиляции, в динамических вольт-амперных характеристиках Si-МОП структур со сверхтонким окислом / Е. И. Гольдман, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 7 . – С. 974-979 .