Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Пагава, Т. А. - Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n...
Пагава, Т. А. - Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n...
Статья
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Пагава, Т. А.
Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n- и p-типа / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Т. А. Пагава, З. В. Башелеишвили // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 5 . – 542-543 .
Пагава, Т. А.
Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах Si n- и p-типа / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Т. А. Пагава, З. В. Башелеишвили // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 5 . – 542-543 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 5
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 5
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный