Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Айдаралиев, М. - Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAs...
Айдаралиев, М. - Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAs...
Статья
Автор: Айдаралиев, М.
Физика и техника полупроводников: Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Айдаралиев, М.
Физика и техника полупроводников: Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Айдаралиев, М.
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP / Физика полупроводниковых приборов / М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, М. Н. Стусь, Г. Н. Талалакин // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 6 . – 759-763 .
Айдаралиев, М.
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP / Физика полупроводниковых приборов / М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, М. Н. Стусь, Г. Н. Талалакин // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 6 . – 759-763 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 6
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 6
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный