Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Цацульников, А. Ф. - Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
Цацульников, А. Ф. - Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
Статья
Автор: Цацульников, А. Ф.
Физика и техника полупроводников: Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Цацульников, А. Ф.
Физика и техника полупроводников: Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Цацульников, А. Ф.
Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. Ф. Цацульников, Б. Я. Бер, А. П. Карташова, Ю. А. Кудрявцев, Н. Н. Леденцов, В. В. Лундин, М. В. Максимов, А. В. Сахаров, А. С. Усиков, Ж. И. Алферов, A. Hoffmann // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 7 . – 791-794 .
Цацульников, А. Ф.
Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. Ф. Цацульников, Б. Я. Бер, А. П. Карташова, Ю. А. Кудрявцев, Н. Н. Леденцов, В. В. Лундин, М. В. Максимов, А. В. Сахаров, А. С. Усиков, Ж. И. Алферов, A. Hoffmann // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 7 . – 791-794 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 7
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 7
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный