Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Козловский, В. И. - Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией ...
Козловский, В. И. - Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией ...
Статья
Автор: Козловский, В. И.
Физика и техника полупроводников: Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Козловский, В. И.
Физика и техника полупроводников: Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козловский, В. И.
Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией на подложках GaAs(100) с использованием твердофазной кристаллизации затравочного аморфного слоя ZnTe / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. И. Козловский, А. Б. Крыса, Ю. Г. Садофьев, А. Г. Турьянский // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 7 . – 810-814 .
Козловский, В. И.
Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией на подложках GaAs(100) с использованием твердофазной кристаллизации затравочного аморфного слоя ZnTe / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. И. Козловский, А. Б. Крыса, Ю. Г. Садофьев, А. Г. Турьянский // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 7 . – 810-814 .