Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванов, П. А. - Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационар...
Иванов, П. А. - Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационар...
Статья
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационар...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационар...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Иванов, П. А.
Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии / П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, O. Korol'kov, N. Sleptsuk // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 10 . – С. 1358-1362 .
Иванов, П. А.
Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии / П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, O. Korol'kov, N. Sleptsuk // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 10 . – С. 1358-1362 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 10
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 10
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный