Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Хабибуллин, Р. А. - Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/Al...
Хабибуллин, Р. А. - Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/Al...
Статья
Автор: Хабибуллин, Р. А.
Физика и техника полупроводников: Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/Al...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Хабибуллин, Р. А.
Физика и техника полупроводников: Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/Al...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Хабибуллин, Р. А.
Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов / Р. А. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, Р. А. Лунин, В. А. Кульбачинский // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 10 . – С. 1373-1378 .
Хабибуллин, Р. А.
Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов / Р. А. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, Р. А. Лунин, В. А. Кульбачинский // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 10 . – С. 1373-1378 .