Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Игнатьев, А. С. - 6. Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
Игнатьев, А. С. - 6. Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
Книга (аналит. описание)
Автор: Игнатьев, А. С.
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: 6. Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Игнатьев, А. С.
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: 6. Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Игнатьев, А. С.
6. Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов / А. С. Игнатьев, В. Э. Каминский, В. Б. Копылов, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, С. С. Шмелев, В. С. Шубин // Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Д. В. Амелин, др.; Ин-т СВЧ плупроводниковой электроники РАН . – М. : Техносфера, 2010 . – С. 83-92 .
Игнатьев, А. С.
6. Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов / А. С. Игнатьев, В. Э. Каминский, В. Б. Копылов, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, С. С. Шмелев, В. С. Шубин // Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Д. В. Амелин, др.; Ин-т СВЧ плупроводниковой электроники РАН . – М. : Техносфера, 2010 . – С. 83-92 .
Привязано к:
Доступно
3 из 3
Книга
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: сб. ст.
Техносфера, 2010 г.
ISBN 978-5-94836-255-7
Библиотека МИСиС : Научный
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: сб. ст.
Техносфера, 2010 г.
ISBN 978-5-94836-255-7
Библиотека МИСиС : Научный