Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мокеров, В. Г. - 11. Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии н...
Мокеров, В. Г. - 11. Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии н...
Книга (аналит. описание)
Автор: Мокеров, В. Г.
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: 11. Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии н...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мокеров, В. Г.
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: 11. Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии н...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Мокеров, В. Г.
11. Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оптические свойства легированных кремнием слоев арсенида галлия / В. Г. Мокеров, Г. Б. Галиев, Ю. В. Слепнев, Ю. В. Хабаров // Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Д. В. Амелин, др.; Ин-т СВЧ плупроводниковой электроники РАН . – М. : Техносфера, 2010 . – С. 142-152 .
Мокеров, В. Г.
11. Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оптические свойства легированных кремнием слоев арсенида галлия / В. Г. Мокеров, Г. Б. Галиев, Ю. В. Слепнев, Ю. В. Хабаров // Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Д. В. Амелин, др.; Ин-т СВЧ плупроводниковой электроники РАН . – М. : Техносфера, 2010 . – С. 142-152 .
Привязано к:
Доступно
3 из 3
Книга
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: сб. ст.
Техносфера, 2010 г.
ISBN 978-5-94836-255-7
Библиотека МИСиС : Научный
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: сб. ст.
Техносфера, 2010 г.
ISBN 978-5-94836-255-7
Библиотека МИСиС : Научный