Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кузнецов, В. П. - Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si:Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов
Кузнецов, В. П. - Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si:Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов
Статья
Автор: Кузнецов, В. П.
Физика и техника полупроводников: Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si:Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кузнецов, В. П.
Физика и техника полупроводников: Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si:Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кузнецов, В. П.
Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si:Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов / В. П. Кузнецов, М. В. Степихова, В. Б. Шмагин, М. О. Марычев, Н. А. Алябина, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, О. Н. Горшков, З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 11 . – С. 1486-1488 .
Кузнецов, В. П.
Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si:Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов / В. П. Кузнецов, М. В. Степихова, В. Б. Шмагин, М. О. Марычев, Н. А. Алябина, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, О. Н. Горшков, З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 11 . – С. 1486-1488 .