Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Годжаев, Э. М. - Фотоэлектрические свойства кристаллов TlIn0.98Pr0.02Se2 и резисторов на их основе
Годжаев, Э. М. - Фотоэлектрические свойства кристаллов TlIn0.98Pr0.02Se2 и резисторов на их основе
Статья
Автор: Годжаев, Э. М.
Неорганические материалы: Фотоэлектрические свойства кристаллов TlIn0.98Pr0.02Se2 и резисторов на их основе
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Годжаев, Э. М.
Неорганические материалы: Фотоэлектрические свойства кристаллов TlIn0.98Pr0.02Se2 и резисторов на их основе
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Годжаев, Э. М.
Фотоэлектрические свойства кристаллов TlIn0.98Pr0.02Se2 и резисторов на их основе / Э. М. Годжаев, А. М. Назаров, Э. А. Аллахяров // Неорганические материалы . – 2011 . – Т. 47, N 12 . – С. 1438-1441 .
Годжаев, Э. М.
Фотоэлектрические свойства кристаллов TlIn0.98Pr0.02Se2 и резисторов на их основе / Э. М. Годжаев, А. М. Назаров, Э. А. Аллахяров // Неорганические материалы . – 2011 . – Т. 47, N 12 . – С. 1438-1441 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1