Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ghadiry, Mandiar - Modelling and simulation of saturation region in double gate Graphene nanoribbon trasistors
Ghadiry, Mandiar - Modelling and simulation of saturation region in double gate Graphene nanoribbon trasistors
Статья
Автор: Ghadiry, Mandiar
Физика и техника полупроводников: Modelling and simulation of saturation region in double gate Graphene nanoribbon trasistors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ghadiry, Mandiar
Физика и техника полупроводников: Modelling and simulation of saturation region in double gate Graphene nanoribbon trasistors
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ghadiry, Mandiar.
Modelling and simulation of saturation region in double gate Graphene nanoribbon trasistors / Mandiar Ghadiry, Mahdieh Nadi, Meysan Rahmani, M. Ahmadi, Asrulnizam Abd Mahaf // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 1 . – С. 130-133 .
Ghadiry, Mandiar.
Modelling and simulation of saturation region in double gate Graphene nanoribbon trasistors / Mandiar Ghadiry, Mahdieh Nadi, Meysan Rahmani, M. Ahmadi, Asrulnizam Abd Mahaf // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 1 . – С. 130-133 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 1
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 1
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный