Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Красавин, С. Е. - О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN
Красавин, С. Е. - О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN
Статья
Автор: Красавин, С. Е.
Физика и техника полупроводников: О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Красавин, С. Е.
Физика и техника полупроводников: О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Красавин, С. Е.
О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN / С. Е. Красавин // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 5 . – С. 616-619 .
Красавин, С. Е.
О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN / С. Е. Красавин // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 5 . – С. 616-619 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 5
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 5
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный