Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сибирев, Н. В. - Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN
Сибирев, Н. В. - Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN
Статья
Автор: Сибирев, Н. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сибирев, Н. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сибирев, Н. В.
Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN / Н. В. Сибирев, M. Tchernycheva, Г. Э. Цырлин, G. Patriarche, J. C. Harmand, В. Г. Дубровский // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 6 . – С. 857-860 .
Сибирев, Н. В.
Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN / Н. В. Сибирев, M. Tchernycheva, Г. Э. Цырлин, G. Patriarche, J. C. Harmand, В. Г. Дубровский // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 6 . – С. 857-860 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 6
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 6
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный