Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гасан-заде, С. Г. - Обнаружение третьего уровня (А+) вакансии ртути в CdxHq1-xTe
Гасан-заде, С. Г. - Обнаружение третьего уровня (А+) вакансии ртути в CdxHq1-xTe
Статья
Автор: Гасан-заде, С. Г.
Физика и техника полупроводников: Обнаружение третьего уровня (А+) вакансии ртути в CdxHq1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гасан-заде, С. Г.
Физика и техника полупроводников: Обнаружение третьего уровня (А+) вакансии ртути в CdxHq1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гасан-заде, С. Г.
Обнаружение третьего уровня (А+) вакансии ртути в CdxHq1-xTe / С. Г. Гасан-заде, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 7 . – С. 905-909 .
Гасан-заде, С. Г.
Обнаружение третьего уровня (А+) вакансии ртути в CdxHq1-xTe / С. Г. Гасан-заде, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 7 . – С. 905-909 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 7
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 7
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный