Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мездрогина, М. М. - Интенсивность излучения внутрицентровых 4 ƒ- переходов в пленках a-Si:H, ZnO и GaN, легированных ...
Мездрогина, М. М. - Интенсивность излучения внутрицентровых 4 ƒ- переходов в пленках a-Si:H, ZnO и GaN, легированных ...
Статья
Автор: Мездрогина, М. М.
Физика и техника полупроводников: Интенсивность излучения внутрицентровых 4 ƒ- переходов в пленках a-Si:H, ZnO и GaN, легированных ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мездрогина, М. М.
Физика и техника полупроводников: Интенсивность излучения внутрицентровых 4 ƒ- переходов в пленках a-Si:H, ZnO и GaN, легированных ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Мездрогина, М. М.
Интенсивность излучения внутрицентровых 4 ƒ- переходов в пленках a-Si:H, ZnO и GaN, легированных редкоземельными ионами / М. М. Мездрогина, М. В. Еременко, Е. И. Теруков, Ю. В. Кожанова // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 7 . – С. 925-936 .
Мездрогина, М. М.
Интенсивность излучения внутрицентровых 4 ƒ- переходов в пленках a-Si:H, ZnO и GaN, легированных редкоземельными ионами / М. М. Мездрогина, М. В. Еременко, Е. И. Теруков, Ю. В. Кожанова // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 7 . – С. 925-936 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 7
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 7
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный